渴望內存帶寬的ASIC開發者們，一定對Rambus的最新研發進展感到欣喜不已。

為了支持第二代增強型高帶寬緩存（HBM2E），該公司還需要設計一個合適的控制器和物理接口。

為了提升效益，Rambus采用了一種高度集成的HBM2E許可解決方案。

據悉，HBM2E標準支持12-HiDRAM堆棧、以及16Gbps的存儲器配置，最高可達24GB@1024位總線。同時新規范支持3.2Gbps數據傳輸速率，讓每個堆棧的帶寬達到409.6GB/s。

至于Rambus的HBM2E解決方案，其包括了一個能夠與以質量好的12-HiKGSD堆棧管芯配合使用的控制器、經過驗證的1024位物理層（PHY）、且支持高達3.2Gbps的速率。

最初由NorthwestLogic開發的RambusHBM2E控制器內核與DFI3.1兼容（通過適當的擴展），支持AXI、OCP或連接至集成邏輯部件的專有接口。

該控制器還支持Look-Ahead命令處理（減少延遲的一種標準方法），以及高達24Gb的通道密度。

有需要的客戶，能夠借助Rambus的HBM2E解決方案達成一站式集成，包括控制器的源代碼（針對特定工藝技術進行的合成）和完全特征化的硬宏接口（GDSII）。

最后，Ramus工程師也可提供按需付費的HMB2EIP集成支持服務。