bran儲(chǔ)存器的中文含義是？

DRAM存儲(chǔ)器的中文含義是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。

隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：讀寫速度快，生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲(chǔ)器。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：讀寫速度較慢，集成度高，多用于容量較大的主存儲(chǔ)器。

DRAM簡(jiǎn)介：

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。

因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每一個(gè)比特的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個(gè)比特通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點(diǎn)。

與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器（volatile memory）設(shè)備。