中國光刻機距離頂尖水平還有較大差距？

國務院發布的相關數據顯示2019年我國芯片自給率僅為30%，高端芯片嚴重依賴進口，芯片進口金額為3040億美元，遠超排名第二的原油進口額，在2025年我國芯片自給率要達到70%。

隨著中美貿易戰的加劇，美對華為芯片實施的制裁和打壓，不僅僅是華為急需解決“卡脖子”的問題，更充分的突顯了高端芯片的制造是我國非常破解需要突破的關口。

全球能夠生產高端芯片的EUV極紫外光刻機只有荷蘭的阿斯麥（ASML）能夠生產，ASML從1997年至今就被美國從資本和技術方面循序漸進地進行滲透，并逐步地掌握了阿斯麥的EUV光刻機的產能和發展方向，這就是我國無法買到EUV光刻機的原因。

這就造成了已經進入全球芯片設計也前10位的華為海思、紫光展銳直面芯片產業最為薄弱的領域，高端芯片制造缺失。目前我國量產的仍然是90nm以下的中低端光刻機，14nm仍然不能進行大規模的量產，而臺積電、三星已經演化到了最新一代的5nm工藝制程，穩步推進4nm、3nm。

我國刻蝕機的現狀芯片前道工藝包括了光刻機、刻蝕機、鍍膜設備、量測設備、清洗機、離子注入機以及其他設備，光刻機的作用主要是將掩膜版上的芯片電路轉移到硅片上，而刻蝕機要在光刻之后才閃亮登場，主要就是按照光刻機標注好的線去做基礎性的建設，把不需要的地方給清理掉，只留下光刻過程中標注好的線路。

刻蝕是化學過程和物理過程共同作用的結果，比如化學試劑腐蝕，溶液、放映離子或者機械方式剝離等等。刻蝕技術分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前干法刻蝕占了90%的市場份額。

刻蝕設備在全球一樣呈現壟斷格局，泛林半導體、東京電子、應用材料公司占據了主要的實操份額。我國在刻蝕機領域已經達到了購機同類產品標準，典型的企業有中微半導體、北方華創。

中微半導體研發出主流的5nm刻蝕機并獲得臺積電認證之后，美商務部就把刻蝕機從對華窗口限制清單上移除。所以只有自己手中有糧，心中才不慌，對手也沒有辦法借此來打壓你。

我國芯片領域發展格局我國從芯片設計、芯片制造、芯片應用其實已經形成了一條完整的產業鏈，唯一的缺陷就是高端芯片由于EUV光刻機的原因沒有辦法制造，只有先造EUV光刻機才能破局。

上游包括了設計、制造、封測，其中封測產業已經具備了一定規模和技術基礎，芯片設計也不用多說，華為海思就擺在臺面上。據知名半導體市場研究機構IC Insights的市場分析報告中國自2005年成為世界最大的芯片市場后，規模一直在穩步增長，中國芯片市場16年一直穩居世界第一，但大陸產值僅占總量的5.9%。由此可見我國芯片的下游應用宏大前景，卻間接地印證了芯片制造確實被EUV光刻機卡住脖子了。

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