性能是否達到7納米水平？

中芯國際能夠達到14nm工藝離不開曾經就職于臺積電的梁孟松博士，算是填補了國內14納米的制造工藝，而且現在的14納米技術已經成功應用于市場上，在國家半導體鼓勵半導體快速發展的階段首先要感謝像梁博士這種高級人才在這方面做出的貢獻，華為公司已經把中低端芯片生產訂單交給中芯國際去制造，也是對國內芯片制造產業的一種支持，同時也能減少華為公司芯片制造的風險，畢竟只是單純的依靠臺積電一家企業，還是存在一定的風險，有了中芯國際的在中低端的支撐起碼給華為公司吃了一個定心丸。

芯片難度主要分成兩塊，芯片的設計和芯片的制造工藝，在芯片設計上華為公司已經在集成芯片上有了長足的進步，在基帶芯片方面已經跨入高端的行列，中興在芯片設計上也有了很大的突破已經在7納米實現了量產，這些都證明在芯片設計上國內的巨頭企業已經有了突破，在龍頭的帶動下芯片必然能夠一定程度上帶動產業的發展。但在芯片制造工藝上差距還是非常明顯，好在中芯國際在2017年贏來了梁孟松博士及其300多人的技術團隊，這個團隊在臺積電以及三星公司都創造出巨大的成績來，中國的芯片制造需要這種強有力的團隊帶動，中國的發展雖然迅速但在精細化工藝上明顯的人才儲備不夠，需要有高水準的人才帶動產業的發展。

梁孟松博士主導的FinFET手藝在此基礎上延伸的N+1，N+2已經在積極的準備中，N+1算是對14納米技術的升級版本，不僅僅在機能，功耗，邏輯面積上都有了較大程度的提升，預計在2020年底量產，N+1的工藝其實已經開始向著7納米的技術邁進了，但是在規格上還存在很大的差異，其實從理論上講可以將體積和功耗大一些，在工藝上先能夠達這種過度的方式，中芯國際只要能夠讓梁孟松博士繼續領導團隊在7納米技術上實現突破只是時間問題，還要保護這些技術人才不被外來的勢力所迫害，也算是給中國的芯片制造點燃一個燭光，星星之火可以燎原。

本來中芯國際已經從荷蘭ASML公司訂購了7納米的光刻機，但是由于美國一直在施加壓力，這件事一直處于擱淺的狀態，所以發展自己的制造工藝已經是必須要走的路，現在已經沒有捷徑可以走了，所以梁孟松博士推出N+1，N+2的方案就屬于創新性的制造工藝，如果能夠穩定的研發下去在將來突破7納米技術也不是不可能的，國內由于之前的基礎太過于薄弱相關的技術人員儲備太差，而且由于國外技術上的封鎖讓荷蘭的ASML公司已經成為壟斷性質的存在，而且能夠買到ASML公司產品的企業都要看美國的臉色，這就是技不如人的后果。

本來在中芯國際突破了14納米的技術之后，荷蘭的ASML松口賣7納米的技術給中芯國際，其實也是為了抑制其快速發展的勢頭，抑制其自主的創新性，不想中芯國際未來成為最大的競爭對手，就整體而言國內半導體缺口還是非常的巨大，無論從半導體的零部件，還是芯片制造，芯片設計，原材料的加工等等幾乎絕大部分都要依賴進口，國家在政策上也在不斷的修正就是為了讓國內的半導體行業能夠快速的壯大起來。希望中芯國際的勢頭不要被外界的勢力所干擾，能夠持續的創新下去，起到龍頭的帶動作用也是國之幸事，希望能幫到你。