DDR2和DDR3插槽一樣嗎？

插槽是不一樣，DDR3比DDR2頻率高，速度快，容量大，性能高。DDR3內存相對于DDR2內存，其實只是規格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構。

DDR3接觸針腳數目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內存的支持較好，而大容量內存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統的執行上限，當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內存的普及時期。

既支持DDR2還支持DDR3主板，其中2個是DDR2的插槽,2個是DDR3的插槽，但是不能同時使用2種類型的,只能選擇1種。擴展資料：內存改進DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。

而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

封裝封裝（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。

并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

突發長度突發長度（BL，Burst Length）由于DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。

而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。

尋址時序尋址時序（Timing）就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。

DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。

降低功耗DDR3內存在達到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關數據預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗，當然發熱量我們也不需要擔心。

就帶寬和功耗之間作個平衡，對比現有的DDR2-800產品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內存帶寬大幅提升，功耗表現也比上代更好。