東芝閃存顆粒命名規則？

命名規則：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）

字符1： T: "Toshiba" 東芝

字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封裝

字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成電路

字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供電電壓類型

字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 閃存接口類型為UFS

字符6： 4: Unique code of controller revision 內置控制器版本為4

字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示

字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB

字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架構為MLC

字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封裝內含堆疊芯片數為4

字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 制程為15nm

字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 無鉛無鹵素BGA封裝

字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25oC to 85oC 工業版本

字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封裝大小

其中，第9個字符與閃存架構有關：

1）SLC（Single-Level Cell）為S或H；

2）DLC（Dua-Level Cell）為D或E【不常見】；

3）TLC（Triple-Level Cell）為T或U；

4）MLC（Multi-Level Cell）為B、C、J、K、L、N 等。